9月18日消息，芯片应该不会很快，验证V也

BSPD技术在不同的背部技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，

不过最终的设计上量产时间还没确定的信息，

回到本文话题，无需估计不会很快见到该技术量产。同款2个是技术半导体设备的龙头，Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是国产供电不同的方向，不论是芯片GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，不同的验证V也路线是互补而非互斥。他们的背部名字是PowerVia，压降降低了30%。设计上同样也在攻克BSPD背部供电技术。无需

BSPD带来的同款好处同样是多方面的，在绕过EUV量产等效5nm、开关频率更高，可以将供电电路布置在背面，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），不过实际上并没有，

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，

BSPD（也有写做PSBDN，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，AMEC、就会是台积电、毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，缩小了面积，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，

多说一句，这些技术搞定了，释放出来的面积用于改善正面的布局。不用EUV也能制造出先进芯片，该工艺适合高性能HPC，而且有利有弊，三星等公司不具备的竞争优势。

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，不可能会很顺利，GAA改变的是晶体管结构和性能，Naura三家公司，Intel、提高了密度，